DirectorI de Proiect:
- Dr. Traian DASCALU (partenerul
din Romania), email:
traian.dascalu@inflpr.ro
- Dr.
Lilian SARBU (partenerul din Republica Moldova),
email: sirbu_lilian@yahoo.de
DURATA
PROIECTULUI:
01.01.2013
- 30.11.2014
CONDUCATOR PROIECT:
- Institutul National de
Cercetare-Dezvoltare pentru Fizica Laserilor, Plasmei si Radiatiei
INFLPR din Bucuresti,
Laboratorul
de Electronica Cuantica a Solidului
- Institutul de Inginerie
Electronica si Nanotehnologii “D. Ghiţu”,
Str.
Academiei, 3/3, MD-2028, Chisinau, Republica Moldova
OBIECTIVUL PROIECTULUI
Obiectivul
general al
proiectului este realizarea antenelor matriceale de emisie si
receptie a radiatiei THz, eficiente si cu
costuri reduse, prin valorificarea competentelor stiintifice si tehnice
existente in grupurile care propun acest proiect.
Obiectivele
specifice proiectului si care vor solutiona problema
propusa spre rezolvare sunt:
● Cercetarea aspectelor tehnologice de
obtinere a straturilor nanoporoase in baza materialelor InP cu diferit
grad de
porozitate a probelor cristaline si amorfe pentru obtinerea
caracteristicilor
de emisie necesare;
● Studierea structurii straturilor
nanoporoase pe diferite suporturi utilizānd metoda microscopiei de
forta
atomica prin scanare tridimensionala;
● Studierea calitatii retelei cristaline
a structurilor nanoporoase cu ajutorul analizei XRD, fotoluminescentei
si Raman;
● Cercetarea morfologiei suprafetei
nanostraturilor utilizānd microscopia electronica;
● Formarea defectelor in reteaua
cristalina prin iradierea cu ioni de Ar;
● Elaborarea modelului de antena adecvat
tipului de material dezvoltat;
● Optimizarea formei si dimensiunilor
contactelor electrice depuse in vid pe structurile poroase;
● Caracterizarea dispozitivelor de
emisie/receptie utilizand instalatia THz-TDS.
Solutiile elaborate in cadrul proiectului vor conduce la noi
tipuri de structuri
capabile sa emita/receptioneze radiatie THz si la elaborarea unor
metodologii
de preparare a materialelor hibride cu proprietati optime necesare
emisiei si
detectiei de radiatie THz de intensitate mare. Aceste solutii rezulta
din
urmatoarele activitati:
● Modelarea morfologiei optime a
nanostructurilor de InP si GaAs;
● Proiectarea antenei, modelarea
proceselor de injectie a purtatorilor de sarcina de la interfata
jonctiunii
semiconductor/metal si transportul purtatorilor de sarcina;
● Obtinerea defectelor in structurile de
InP si GaAs prin tratarea in plasma de Ar;
● Identificarea parametrilor porilor si
a formei antenei care maximizeaza emisia THz;
● Determinarea densitatii
maximale de integrare in circuite hibride de suprafata si rezolutia
matricii.
REZULTATE
Decembrie
2013:
Noiembrie 2014:
PUBLICATII
|